Login
                        歡迎光臨太航半導體

                        NVMTS0D4N04CTXG分立半導體產品-技術資料

                        技術參數品牌:ON(安森美)型號:NVMTS0D4N04CTXG封裝:DFNW-8批號:23+數量:200000制造商:ON Semiconductor產品種類:MOSFETRoHS:是技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:DFNW-8晶體管極性:N-Channel通道數量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:40 VId-連續漏極電流:558 ARds On-漏源導通電阻:450 uOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:4 VQg-柵極電荷:251 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd-功率耗散:244 W通道模式:Enhancement資格:AEC-Q101配置:Single晶體管類型:1 N- Channel商標:ON Semiconductor下降時間:76.8 ns產品類型:MOSFET上升時間:51.5 ns工廠包裝數量:3000子類別:MOSFETs典型關閉延遲時間:201 ns典型接通延遲時間:57 ns單位重量:319.280 mg...

                        NVMTS0D4N04CTXG.png

                        技術參數

                        品牌:ON(安森美)
                        型號:NVMTS0D4N04CTXG
                        封裝:DFNW-8
                        批號:23+
                        數量:200000
                        制造商:ON Semiconductor
                        產品種類:MOSFET
                        RoHS:
                        技術:Si
                        安裝風格:SMD/SMT
                        封裝 / 箱體:DFNW-8
                        晶體管極性:N-Channel
                        通道數量:1 Channel
                        Vds-漏源極擊穿電壓:40 V
                        Id-連續漏極電流:558 A
                        Rds On-漏源導通電阻:450 uOhms
                        Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V
                        Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
                        Qg-柵極電荷:251 nC
                        最小工作溫度:- 55 C
                        最大工作溫度:+ 175 C
                        Pd-功率耗散:244 W
                        通道模式:Enhancement
                        資格:AEC-Q101
                        配置:Single
                        晶體管類型:1 N- Channel
                        商標:ON Semiconductor
                        下降時間:76.8 ns
                        產品類型:MOSFET
                        上升時間:51.5 ns
                        工廠包裝數量:3000
                        子類別:MOSFETs
                        典型關閉延遲時間:201 ns
                        典型接通延遲時間:57 ns
                        單位重量:319.280 mg

                        特點

                        ?占地面積?。?x8 mm),設計緊湊

                        ?低RDS(開啟)以最大限度地減少傳導損耗

                        ?低QG和電容,最大限度地減少驅動器損耗

                        ?Power 88封裝,行業標準

                        ?AEC?Q101合格且具備PPAP能力

                        ?這些設備不含Pb?、無鹵素/BFR且符合RoHS順從的


                        400-900-8098
                        工作時間:09:00 - 17:00
                        產品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
                        24小時在線客服
                        24小時熱線電話

                        添加微信咨詢

                        添加微信咨詢

                        添加微信咨詢
                        99热门精品一区二区三区无码,俄罗斯freexxxx性16,色噜噜亚洲男人的天堂www,久久久久人妻一区精品